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石山 新太郎; 藤井 亮*; 中村 勝*; 今堀 良夫*
Journal of Chemistry and Chemical Engineering, 8(9), p.870 - 875, 2014/09
BNCT用中性子ターゲットインサートPdの0.1-5keV VH照射特性をXAFSで計測することにより、下記結論を得た。(1)照射により1.1-3倍の顕著なエッジジャンプが低照射量域で観察された。(2)このことからPd 4d軌道のホール数の増加を意味している一方、比較材であるAgには変化はみられなかった。(3)同照射条件で0.12-0.66eVのエッジシフトが生じるとともに、重照射時には急激は減少が見られた。(4)Pd内に蓄積されている注入イオンはHの状態で存在している。